EN CN
close
新闻中央
新闻中央
您的当前位置: 首页 > 关于九游会·j9 > 新闻中央 >
九游会·j9GT8101超强抗负压MOSFET半桥驱动芯片重磅宣布
2021年06月04日

GT8101是九游会·j92021年研发的一款100V VBOOT 电压的MOSFET驱动器,提供1A的驱动电流能力,性能优良,掩护周全,外围电路精练。


GT8101基本参数

? 100V VBOOT 电压

? 事情电压5.5V至20V

? 1A驱动电流能力,驱动1nF负载时,上升及下降时间20nS

? 提供Shoot-Through掩护可有用防止上下管同时导通导致芯片或MOSFET损坏

? 自力的 High- and Low-Side Under-Voltage 掩护

? 工业级–40 °C to +125 °C 事情温度规模

? SOP-8L封装


GT8101三大优势集于一身

1、强悍的抗负压能力,显著提高系统可靠性

GT8101系列产物对于可能因负压攻击造成芯片损伤的管脚做了强化设计,可遭受-7V直流电压,无需特另外掩护元件,提高系统可靠性的同时,对PCB结构布线更友好。市场上同类产物中抗负压强度大多为-0.3V/-1V。


2、内置自举二极管,外围线路精练,节约PCB面积和BOM成本

GT8101外围仅需两个电容和一个电阻。比起市面上同类的产物多达15个的外围器件, GT8101极大地节约了PCB面积和BOM成本。


3、自顺应的死区时间控制,掩护芯片的同时最洪流平提升系统效率。

半桥驱动产物需要保证两个MOSFET中只有一个在任何给定的时间是开启的,若是统一侧的两个MOSFET同时开启,会导致电源短路到地,发生直通电流(shoot-through),过量的shoot-through会导致MOSFET功率耗散更大,甚至损坏MOSFET。

减小shoot-through的方式通常可以分成被动的或者自动的。被动的shoot-through掩护可以通过实现高侧和低栅极驱动器之间的延迟,虽然简朴,但所需延迟时间较长;自动的shoot-through掩护可通过监测栅极驱动输出和开枢纽点上的电压,以确定何时开关MOSFET。但栅极驱动和返回路径中的高电流和快速开关电压可能引起寄生振铃,使MOSFET重新打开,而且驱动器无法监测MOSFET内部的栅极电压。

九游会·j9的GT8101产物接纳自动和被动团结的自顺应的死区时间控制,监测栅极驱动输出和开枢纽点上的电压,以确保两个MOSFET差异时开启,最大限度地镌汰射穿电流,防止由于shoot-through造成的芯片的损坏的同时,并最可能的减小死区时间,最小35nS,从而提高了系统效率。

现在九游会·j9GT8101 MOFSET半桥驱动产物已实现量产,主要应用于电子助力转向(EPS)、车载空调系统等领域。除了芯片产物自己,九游会·j9还将凭证客户需求提供硬件及软件(算法)设计等定制化解决方案。

九游会·j9半导体一直致力于顺应市场趋势为客户提供精彩的产物和服务。未来,九游会·j9将一连提升自主研发创新水平,牢靠在非易失性存储芯片领域的市场领先职位,富厚在驱动芯片等领域的产物结构,与行业同伴深化相助,配合为工业升级和社会智能化生长赋能。




【网站地图】【sitemap】
友情链接:jdb电子试玩平台  维多利亚老品牌vic  BG大游平台  安鑫娱乐  AS电玩  美高梅电子娱乐游戏app  8455线路检测中心  万象城AWC  ng666南宫娱乐官网  万象城AWC  itb8888通博  拉斯维加斯9888  JDB电子游戏  esb世博网  腾博会官网  K8凯发国际  w66利来最老牌  加拿大28圈  44118太阳成城集团  新利体育  BG大游平台  ayx爱游戏  美高梅电子娱乐游戏app  大红鹰dhy